Indicadores de rendimiento del módulo de memoria.

1. Capacidad de almacenamiento
Es decir, la información binaria que puede contener una barra de memoria, como la capacidad de almacenamiento de la barra de memoria de línea 168- comúnmente utilizada, es generalmente de 32 megabytes, 64 megabytes y 128 megabytes. DDRI3 suele tener entre 1 GB y 8 GB.
2, velocidad de acceso
Es decir, el tiempo más corto requerido entre dos operaciones de acceso independientes, también conocido como ciclo de memoria, el ciclo de acceso de la memoria de semiconductores es generalmente de 60 nanosegundos a 100 nanosegundos.
3. Fiabilidad de la memoria
La confiabilidad de la memoria se mide por el tiempo medio entre fallas, que puede entenderse como el tiempo medio entre dos fallas.
4. Rendimiento de costos
El rendimiento incluye principalmente la capacidad de la memoria, el ciclo de almacenamiento y la confiabilidad, tres contenidos, la relación precio-rendimiento es un índice integral, ya que diferentes memorias tienen diferentes requisitos.