NUEVO M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 más HYNIX V7
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 más Hynix V7 1. ESPECIFICACIONES DEL PRODUCTO Capacidad − 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB − Admite modo de direccionamiento de 32- bits Interfaz eléctrica/física − Interfaz PCIe − Cumple con NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 carriles y compatible con versiones anteriores para...
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 más Hynix V7
1. ESPECIFICACIONES DEL PRODUCTO
Capacidad
-128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB
− Soporta 32-modo de direccionamiento de bits
Interfaz eléctrica/física
− Interfaz PCIe
− Cumple con NVMe 1.3
− Base PCIe Express versión 3.1
− PCIe Gen 3 x 4 carriles y compatible con versiones anteriores de PCIe Gen 2 y Gen 1
− Admite hasta QD 128 con profundidad de cola de hasta 64K
− Apoyar la administración de energía
Flash NAND compatible
− Admite hasta 16 Flash Chip Enables (CE) dentro de un solo diseño
− Admite hasta 4 piezas de flash BGA132
− Admite Flash NAND de E/S de 8-bits
− Compatible con la interfaz Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 y ONFI 4.0
Samsung V6 3D NAND
Hynix V7 3D NAND
Esquema ECC
− El SSD PCIe HG2283 aplica el algoritmo LDPC de ECC.
Soporte de tamaño de sector
− 512B
− 4 KB
UART/ GPIO
Admite comandos SMART y TRIM
Gama LBA
− Norma IDEMA
Actuación
Rendimiento de HG2283 más Hynix V7 (1200 Mbps)
|
Capacidad |
Estructura flash (paquete BGA) |
CE# |
Tipo de destello |
Secuencial (MDL) |
IOmetro |
||
|
Lectura (MB/s) |
Escritura (MB/s) |
Leer (IOPS) |
Escritura (IOPS) |
||||
|
128 GB |
DDP x 1 |
2 |
BGA132, Hynix V7 |
1650 |
1100 |
195K |
260K |
|
256GB |
DDP x 2 |
4 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
1850 |
360K |
450K |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2090 |
360K |
475K |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
|
2048GB |
PAO x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
NOTAS:
1. El rendimiento se basó en el flash Hynix V7 TLC NAND.
EL CONSUMO DE ENERGÍA
|
Capacidad |
Configuración flash (paquete BGA) |
|
El consumo de energía3 |
|
|
|
Lectura (mW) |
Escritura (mW) |
PS3 (mW) |
PS4 (mW) |
||
|
128 GB |
DDP x 1 |
2940 |
2530 |
50 |
5 |
|
256GB |
DDP x 2 |
4120 |
3400 |
50 |
5 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
4090 |
3390 |
50 |
5 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
4050 |
3380 |
50 |
5 |
|
2048GB |
PAO x 4 |
4440 |
3810 |
50 |
5 |
NOTAS:
1. Datos medidos basados en Hynix V7 512Gb mono die TLC Flash.
2. El consumo de energía se mide durante las operaciones secuenciales de lectura y escritura realizadas por IOMeter.
Gestión de destellos
1.4.1. Código de corrección de errores (ECC)
Las celdas de la memoria flash se deteriorarán con el uso, lo que podría generar errores de bits aleatorios en los datos almacenados. Por lo tanto, la SSD PCIe HG2283 aplica el algoritmo LDPC (comprobación de paridad de baja densidad) de ECC, que puede detectar y corregir los errores que se producen durante el proceso de lectura, garantizar que los datos se lean correctamente y protegerlos de la corrupción.
1.4.2. Nivelación de desgaste
Los dispositivos flash NAND solo pueden someterse a una cantidad limitada de ciclos de programación/borrado, cuando los medios flash no se usan de manera uniforme, algunos bloques se actualizan con más frecuencia que otros y la vida útil del dispositivo se reduce significativamente. Por lo tanto, la nivelación de desgaste se aplica para extender la vida útil de la memoria flash NAND mediante la distribución uniforme de los ciclos de escritura y borrado en los medios.
HosinGlobal proporciona un algoritmo de nivelación de desgaste avanzado, que puede distribuir de manera eficiente el uso de flash en toda el área de medios flash. Además, mediante la implementación de algoritmos de nivelación de desgaste dinámicos y estáticos, la esperanza de vida de la memoria flash NAND mejora considerablemente.
1.4.3. Mala gestión de bloques
Los bloques defectuosos son bloques que no funcionan correctamente o contienen más bits no válidos que hacen que los datos almacenados sean inestables, y su confiabilidad no está garantizada. Los bloques identificados y marcados como defectuosos por el fabricante se denominan "Bloques defectuosos iniciales". Los bloques defectuosos que se desarrollan durante la vida útil del flash se denominan "Bloques defectuosos posteriores". HosinGlobal implementa un algoritmo eficiente de gestión de bloques defectuosos para detectar los bloques defectuosos producidos en fábrica y gestiona los bloques defectuosos que aparecen con el uso. Esta práctica evita que los datos se almacenen en bloques defectuosos y mejora aún más la confiabilidad de los datos.
1.4.4. RECORTAR
TRIM es una función que ayuda a mejorar el rendimiento de lectura/escritura y la velocidad de las unidades de estado sólido (SSD). A diferencia de las unidades de disco duro (HDD), las SSD no pueden sobrescribir los datos existentes, por lo que el espacio disponible se reduce gradualmente con cada uso. Con el comando TRIM, el sistema operativo puede informar al SSD para que los bloques de datos que ya no están en uso puedan eliminarse de forma permanente. Así, el SSD realizará la acción de borrado, lo que evita que los datos no utilizados ocupen bloques en todo momento.
1.4.5. ELEGANTE
SMART, acrónimo de Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, es un estándar abierto que permite que una unidad de estado sólido detecte automáticamente su estado e informe posibles fallas. Cuando SMART registra una falla, los usuarios pueden optar por reemplazar la unidad para evitar una interrupción inesperada o la pérdida de datos. Además, SMART puede informar a los usuarios sobre fallas inminentes mientras aún hay tiempo para realizar acciones proactivas, como guardar datos en otro dispositivo.
1.4.6. Aprovisionamiento excesivo
El sobreaprovisionamiento se refiere a la preservación de un área adicional más allá de la capacidad del usuario en un SSD, que no es visible para los usuarios y no puede ser utilizada por ellos. Sin embargo, permite que un controlador SSD utilice espacio adicional para un mejor rendimiento y WAF. Con el sobreaprovisionamiento, el rendimiento y las IOPS (operaciones de entrada/salida por segundo) mejoran al proporcionar al controlador espacio adicional para administrar los ciclos de P/E, lo que también mejora la confiabilidad y la resistencia. Además, la amplificación de escritura del SSD se reduce cuando el
el controlador escribe datos en la memoria flash.
1.4.7. Actualización de firmware
El firmware se puede considerar como un conjunto de instrucciones sobre cómo el dispositivo se comunica con el host. El firmware se podrá actualizar cuando se agreguen nuevas funciones, se solucionen los problemas de compatibilidad o se mejore el rendimiento de lectura/escritura.
1.4.8. Estrangulación térmica
El propósito de la regulación térmica es evitar que los componentes de una SSD se sobrecalienten durante las operaciones de lectura y escritura. HG2283 está diseñado con un sensor térmico integrado y con su precisión; el firmware puede aplicar diferentes niveles de aceleración para lograr el propósito de protección de manera eficiente y proactiva a través de la lectura SMART.
1.5. Características avanzadas de seguridad del dispositivo
1.5.1. Borrado seguro
Secure Erase es un comando de formato NVMe estándar y escribirá todos los "0x00" para borrar por completo todos los datos en los discos duros y SSD. Cuando se emite este comando, el controlador SSD borrará sus bloques de almacenamiento y volverá a su configuración predeterminada de fábrica.
1.5.2. Borrado criptográfico
Crypto Erase es una función que borra todos los datos de una unidad SSD activada por OPAL o "SED" (disco con seguridad habilitada) al restablecer la clave criptográfica del disco. Al modificarse la clave, los datos previamente encriptados quedarán inservibles, consiguiendo el propósito de seguridad de los datos.
1.5.3. SID de presencia física (PSID)
TCG OPAL define el SID de presencia física (PSID) como una cadena de caracteres 32- y el propósito es revertir SSD a su configuración de fábrica cuando la unidad todavía está activada por OPAL. El código PSID se puede imprimir en una etiqueta SSD cuando un SSD activado por OPAL es compatible con la función de reversión de PSID.
1.6. Gestión de la vida útil de SSD
1.6.1. Terabytes escritos (TBW)
TBW (terabytes escritos) es una medida de la vida útil esperada de los SSD, que representa la cantidad de datos
escrito en el dispositivo. Para calcular el TBW de un SSD se aplica la siguiente ecuación:
TBW = [(Resistencia NAND) x (Capacidad SSD)] / [WAF]
Resistencia NAND: La resistencia NAND se refiere al ciclo P/E (Programar/Borrar) de una memoria flash NAND.
Capacidad SSD: La capacidad SSD es la capacidad específica en total de un SSD.
WAF: El factor de amplificación de escritura (WAF) es un valor numérico que representa la relación entre la cantidad de datos que un controlador SSD necesita escribir y la cantidad de datos que escribe el controlador flash del host. Un mejor WAF, que está cerca de 1, garantiza una mejor resistencia y una menor frecuencia de datos escritos en la memoria flash.
El TBW de este documento se basa en la carga de trabajo JEDEC 218/219.
1.6.2. Indicador de desgaste de medios
El indicador de vida real informado por el índice de bytes de atributo SMART [5], Porcentaje utilizado, recomienda al usuario que reemplace la unidad cuando llegue al 100 por ciento.
1.6.3. Modo de solo lectura (fin de vida útil)
Cuando la unidad envejece debido a los ciclos acumulados de programación/borrado, el desgaste de los medios puede provocar un número cada vez mayor de bloques defectuosos posteriores. Cuando la cantidad de bloques buenos utilizables cae fuera de un rango utilizable definido, la unidad notificará al host a través de un evento AER y una advertencia crítica para ingresar al modo de solo lectura para evitar una mayor corrupción de datos. El usuario debe comenzar a reemplazar la unidad por otra inmediatamente.
1.7. Enfoque adaptativo para el ajuste del rendimiento
1.7.1. Rendimiento
Según el espacio disponible del disco, HG2283 regulará la velocidad de lectura/escritura y administrará el rendimiento del rendimiento. Cuando todavía queda mucho espacio, el firmware realizará continuamente la acción de lectura/escritura. Todavía no es necesario implementar la recolección de elementos no utilizados para asignar y liberar memoria, lo que acelerará el procesamiento de lectura/escritura para mejorar el rendimiento. Por el contrario, cuando se agote el espacio, HG2283 ralentizará el procesamiento de lectura/escritura e implementará la recolección de elementos no utilizados para liberar memoria. Por lo tanto, el rendimiento de lectura/escritura será más lento.
1.7.2. Predecir y obtener
Normalmente, cuando el Host intenta leer datos del SSD PCIe, el SSD PCIe solo realizará una acción de lectura después de recibir un comando. Sin embargo, HG2283 aplica Predict & Fetch para mejorar la velocidad de lectura. Cuando el host emite comandos de lectura secuenciales a la SSD PCIe, la SSD PCIe esperará automáticamente que también se lean los siguientes comandos. Así, antes de recibir el siguiente comando, flash ya ha preparado los datos. En consecuencia, esto acelera el tiempo de procesamiento de datos y el anfitrión no necesita esperar tanto tiempo para recibir datos.
1.7.3. Almacenamiento en caché SLC
El diseño de firmware de HG2283 actualmente adopta el almacenamiento en caché dinámico para ofrecer un mejor rendimiento para una mejor resistencia y experiencia de usuario del consumidor.
3.1. Condiciones Ambientales 3.1.1. Temperatura y humedad
Tabla 3-1 Temperatura alta
|
|
Temperatura |
Humedad |
|
Operación |
70 grados |
0 por ciento de HR |
|
Almacenamiento |
85 grados |
0 por ciento de HR |
Tabla 3-2 Temperatura baja
|
|
Temperatura |
Humedad |
|
Operación |
0 grado |
0 por ciento de HR |
|
Almacenamiento |
-40 grado |
0 por ciento de HR |
Tabla 3-3 Humedad alta
|
|
Temperatura |
Humedad |
|
Operación |
40 grados |
90 por ciento de humedad relativa |
|
Almacenamiento |
40 grados |
93 por ciento de humedad relativa |
Tabla 3-4 Ciclo de temperatura
|
|
Temperatura |
|
Operación |
0 grado |
|
70 grados1 |
|
|
Almacenamiento |
-40 grado |
|
85 grados |
Notas:
1. La temperatura de funcionamiento se mide por la temperatura de la carcasa, que se puede decidir a través de SMART Airflow y permitirá que el dispositivo funcione a la temperatura adecuada para cada componente durante un entorno de cargas de trabajo pesadas.
3.1.2. Choque
Tabla 3-5 Choque
|
|
Fuerza de aceleración |
|
No operativa |
1500G |
3.1.3. Vibración
Tabla 3-6 Vibración
|
|
Cond. |
ición |
|
Frecuencia/Desplazamiento |
Frecuencia/Aceleración |
|
|
No operativa |
20 Hz~80 Hz/1,52 mm |
80Hz~2000Hz/20G |
3.1.4. Gota
Tabla 3-7 Soltar
|
|
|
Altura de caída |
|
|
Número de gota |
|
No operativa |
|
caída libre de 80 cm |
|
|
6 caras de cada unidad |
|
3.1.5. Doblado |
Tabla 3-8 Plegado |
|
|
||
|
|
|
Fuerza |
|
|
Acción |
|
No operativa |
|
Mayor o igual a 20N |
|
|
Mantenga 1min/5times |
|
3.1.6. Esfuerzo de torsión |
Tabla 3-9 Par |
|
|
||
|
|
|
Fuerza |
|
|
Acción |
|
No operativa |
|
0.5N-m o ±2.5 grados |
|
|
Mantenga 1min/5times |
|
3.1.7. Descarga electrostática (ESD) |
Tabla 3-10 ESD |
|
|
||
|
Especificación |
|
|
más /- 4KV |
|
|
|
EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 e IEC 61000-4-2 |
Las funciones del dispositivo se ven afectadas, pero el EUT volverá a su estado normal u operativo automáticamente. |
||||
4. ESPECIFICACIONES ELÉCTRICAS
4.1. Voltaje de suministro
Tabla 4-1 Tensión de alimentación
|
Parámetro |
Clasificación |
|
Tensión de funcionamiento |
Mín.=3.14 V Máx.=3.47 V |
|
Tiempo de subida (máx./mín.) |
10 ms / 0,1 ms |
|
Tiempo de caída (máx./mín.) |
1500ms / 1ms |
|
mín. Fuera de tiempo1 |
1500ms |
NOTA:
1. Tiempo mínimo entre la desconexión de la alimentación de la SSD (Vcc < 100 mV) y la aplicación de alimentación a la unidad.
4.2. El consumo de energía
Tabla 4-2 Consumo de energía en mW
|
Capacidad |
Configuración flash |
CE# |
Leer (Máx.) |
Escribir (máx.) |
Leer (promedio) |
Escribir (promedio) |
|
128 GB |
DDP x 1 |
2 |
3200 |
2930 |
2940 |
2530 |
|
256GB |
DDP x 2 |
4 |
4650 |
4560 |
4120 |
3400 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
5260 |
4190 |
4090 |
3390 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
5350 |
6070 |
4050 |
3380 |
|
2048GB |
PAO x 4 |
16 |
6320 |
6650 |
4440 |
3810 |
NOTAS:
Basado en la serie APF1Mxxx a temperatura ambiente.
El valor promedio del consumo de energía se logra en base a una eficiencia de conversión del 100 por ciento.
La tensión de alimentación medida es de 3,3 V.
La temperatura de un dispositivo de almacenamiento en PS1 debe permanecer constante o debe disminuir ligeramente para todas las cargas de trabajo, por lo que la energía real en PS1 debe ser inferior a PS0.
La temperatura de un dispositivo de almacenamiento en PS2 debería disminuir considerablemente para todas las cargas de trabajo, por lo que la potencia real en PS2 debería ser inferior a la de PS1.
5. INTERFAZ
5.1. Asignación de pines y descripciones
La tabla {{0}} define la asignación de señal del conector NGFF interno para el uso de SSD, descrita en la especificación PCI Express M.2 versión 1.0 de PCI-SIG.
Tabla 5-1 Asignación de pines y descripción de HG2283 M.2 2280
|
Número de pin |
Pasador PCIe |
Descripción |
|
1 |
TIERRA |
CONFIG_3=TIERRA |
|
2 |
3.3V |
fuente de 3,3 V |
|
3 |
TIERRA |
Suelo |
|
4 |
3.3V |
fuente de 3,3 V |
|
5 |
PETn3 |
Señal diferencial PCIe TX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
6 |
N/C |
No conecta |
|
7 |
PETp3 |
Señal diferencial PCIe TX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
8 |
N/C |
No conecta |
|
9 |
TIERRA |
Suelo |
|
10 |
LED1# |
Drenaje abierto, señal baja activa. Estas señales se utilizan para permitir que la tarjeta complementaria proporcione indicadores de estado a través de dispositivos LED que proporcionará el sistema. |
|
11 |
PERn3 |
Señal diferencial PCIe RX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
12 |
3.3V |
fuente de 3,3 V |
|
13 |
PERp3 |
Señal diferencial PCIe RX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
14 |
3.3V |
fuente de 3,3 V |
|
15 |
TIERRA |
Suelo |
|
16 |
3.3V |
fuente de 3,3 V |
|
17 |
PETn2 |
Señal diferencial PCIe TX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
18 |
3.3V |
fuente de 3,3 V |
|
19 |
PETp2 |
Señal diferencial PCIe TX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
20 |
N/C |
No conecta |
|
21 |
TIERRA |
Suelo |
|
22 |
N/C |
No conecta |
|
23 |
PERn2 |
Señal diferencial PCIe RX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
24 |
N/C |
No conecta |
|
25 |
PERp2 |
Señal diferencial PCIe RX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
26 |
N/C |
No conecta |
|
27 |
TIERRA |
Suelo |
|
28 |
N/C |
No conecta |
|
29 |
PETn1 |
Señal diferencial PCIe TX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
30 |
N/C |
No conecta |
|
31 |
PETp1 |
Señal diferencial PCIe TX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
32 |
TIERRA |
Suelo |
|
33 |
TIERRA |
Suelo |
|
34 |
N/C |
No conecta |
|
35 |
PERn1 |
Señal diferencial PCIe RX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
36 |
N/C |
No conecta |
|
37 |
PERp1 |
Señal diferencial PCIe RX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
Número de pin |
Pasador PCIe |
Descripción |
|
38 N/C |
No conecta |
|
|
39 TIERRA |
Suelo |
|
|
40 SMB_CLK (E/S)(0/1,8 V) |
Reloj SMBus; Open Drain con pull-up en la plataforma |
|
|
41 |
PETn0 |
Señal diferencial PCIe TX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
42 |
SMB{{0}}DATOS (E/S)(0/1,8 V) |
Datos de SMBus; Desagüe abierto con plataforma extraíble. |
|
43 |
PETp0 |
Señal diferencial PCIe TX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
44 |
ALERTA#(O) (0/1.8V) |
Notificación de alerta al maestro; Desagüe abierto con plataforma extraíble; Activa baja. |
|
45 |
TIERRA |
Suelo |
|
46 |
N/C |
No conecta |
|
47 |
PERn0 |
Señal diferencial PCIe RX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
48 |
N/C |
No conecta |
|
49 |
PERp0 |
Señal diferencial PCIe RX definida por la especificación PCI Express M.2 |
|
50 |
PERST#(I)(0/3.3V) |
PE-Reset es un restablecimiento funcional de la tarjeta según lo definido por la especificación PCIe Mini CEM. |
|
51 |
TIERRA |
Suelo |
|
52 |
CLKREQ#(E/S)(0/3.3V) |
La solicitud de reloj es una señal de solicitud de reloj de referencia según lo define la especificación PCIe Mini CEM; También lo utilizan los subestados L1 PM. |
|
53 |
REFCLKn |
Señales de reloj de referencia PCIe (100 MHz) definidas por la especificación PCI Express M.2. |
|
54 |
PEWAKE#(E/S)(0/3.3V) |
Activación PCIe PME. Desagüe abierto con tirador en la plataforma; Activa baja. |
|
55 |
REFCLKp |
Señales de reloj de referencia PCIe (100 MHz) definidas por la especificación PCI Express M.2. |
|
56 |
Reservado para DATOS MFG |
Línea de datos de fabricación. Se utiliza solo para la fabricación de SSD. No se utiliza en funcionamiento normal. Los pines deben dejarse N/C en el zócalo de la plataforma. |
|
57 |
TIERRA |
Suelo |
|
58 |
Reservado para MFG CLOCK |
Línea de fabricación de relojes. Se utiliza solo para la fabricación de SSD. No se utiliza en funcionamiento normal. Los pines deben dejarse N/C en el zócalo de la plataforma. |
|
59 |
Clave de módulo M |
Clave del módulo |
|
60 |
Clave de módulo M |
|
|
61 |
Clave de módulo M |
|
|
62 |
Clave de módulo M |
|
|
63 |
Clave de módulo M |
|
|
64 |
Clave de módulo M |
|
|
65 |
Clave de módulo M |
|
|
66 |
Clave de módulo M |
|
|
67 |
N/C |
No conecta |
|
68 |
SUSCLK(32KHz) (I)(0/3.3V) |
Entrada de suministro de reloj de 32,768 kHz proporcionada por el conjunto de chips de la plataforma para reducir la energía y el costo del módulo. |
|
69 |
CAROLINA DEL NORTE |
CONFIG_1=Sin conexión |
|
70 |
3.3V |
fuente de 3,3 V |
|
71 |
TIERRA |
Suelo |
|
72 |
3.3V |
fuente de 3,3 V |
|
73 |
TIERRA |
Suelo |
|
74 |
3.3V |
fuente de 3,3 V |
|
75 |
TIERRA |
CONFIG_2=Tierra |
Factor de forma: M.2 2280 S2
Dimensiones: 80.00mm (L) x 22.00mm (An) x 2,15mm (Al)
|
Ver dirección |
Diagrama |
|
Arriba |
 
|
|
Abajo |
|
|
Ver dirección |
Diagrama |
|
Lado |
|
|
|
|
Figura 7-1 Diagrama mecánico y dimensiones del producto
8. NOTAS DE APLICACIÓN
8.1. Precauciones de manipulación del embalaje a escala de chip a nivel de oblea (WLCSP)
Hay muchos componentes ensamblados en un solo dispositivo SSD. Manipule la unidad con cuidado, especialmente cuando tenga algún componente WLCSP (embalaje de escala de chip de nivel de oblea), como PMIC, sensor térmico o interruptor de carga. WLCSP es una de las tecnologías de empaque que se adopta ampliamente para hacer huellas más pequeñas, pero cualquier golpe o rasguño puede dañar esas piezas ultrapequeñas, por lo que se recomienda encarecidamente un manejo cuidadoso.
NO DEJE SSD
INSTALE SSD CON CUIDADO
DESGARRO SSD EN UN PAQUETE APROPIADO
8.2. Precauciones de montaje de SSD M.2 con llave M
M Key M.2 SSD (Figura 1) solo es compatible con el zócalo M Key (Figura 2). Como se muestra en el Caso de uso 2, el uso indebido puede causar daños graves a la SSD, incluido el agotamiento.
Figura 8-1 M Clave M.2 Precauciones de montaje
Etiqueta: NUEVO M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 más HYNIX V7, China NUEVO M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 más HYNIX V7, Adaptador de tarjeta CF para tarjeta SD, tarjeta CF al adaptador USB, adaptador de palo de memoria, Memory Stick Duo para el adaptador SD, adaptador microSD de memoria de memoria, adaptador de tarjeta CF USB
Envíeconsulta
