MÓDULO DRAM
Fundada en 2008, nuestra empresa del grupo ha estado en el área de memoria flash OEM durante casi 15 años, módulo DRAM OEM, SSD OEM, UNIDAD FLASH USB OEM, TARJETA TF OEM, como proveedor profesional de memoria flash OEM, nos concentramos en ofrecer servicio a los principales clientes de marca , principales comerciantes y distribuidores del país. Para apoyar mejor a los comerciantes y distribuidores de países, tenemos productos listos tanto en Hong Kong como en ShenZhen, vendimos más de 1 millón de unidades cada mes.
Principalmente admitimos DDR3, DDR4 para clientes que también hacen negocios con SSD, para clientes de marca o fábricas de computadoras, también tenemos LPDDR, que ahora solo es compatible con los principales clientes de teléfonos móviles e IPAD del interior de China y algunos clientes de relojes inteligentes. Con su alto rendimiento y bajo consumo, es bueno para dispositivos inteligentes de pequeño tamaño.
Parámetro técnico Dram/LPDDR:
CATEGORIA DE PRODUCTO | ESPECIFICACIONES / | DENSIDAD | PAQUETE | OPERANDO |
DRACMA | DRAM D3 | 2Gb / 4Gb | Pelota FBGA 96 | 25 grados ~ 85 grados |
DRAM D4 | 4Gb / 8Gb | Pelota FBGA 96 | ||
Módulo DRAM | U-DIMM | 4 GB/8 GB/16 GB/32 GB | / | 0 grado - 85 grado |
SO-DIMM | ||||
R-DIMM | 8GB/16GB/32GB | / | 0 grado - 85 grado | |
LPDDR | LP DDR4 | 2GB / 3GB / 4GB / 6GB / 8GB | 200Bola | 0 grado - 70 grado |
Especificaciones:
N.º de modelo del producto | Especificación | Densidad | Dimensión | Paquete |
DRAM U-DIMM | 8GBX8/X16 | 8 GB | 7,5x13,3mm | Bola 78/Bola 96 |
DRAM U-DIMM | 16GBX8/X16 | 16 GB | 10,3x11mm | Bola 78/Bola 96 |
DRAM U-DIMM | 32GBX8/X16 | 32 GB | 10,3x11mm | Bola 78/Bola 96 |
Módulo disponible:
Número de pieza 1) | Densidad | Organización | Composición del componente | Número de | Altura |
4GB UDIMM | 4 GB | 512Mx64 | 512Mx16 * 4 | 1 | 31,25 mm |
8GB UDIMM | 8 GB | 1Gx64 | 1Gx8 * 8 | 1 | 31,25 mm |
16GB UDIMM | 16 GB | 2Gx64 | 1Gx8 * 16 | 2 | 31,25 mm |
4GB SODIMM | 4 GB | 512Mx64 | 512Mx16 * 4 | 1 | 30mm |
SODIMM de 8GB | 8 GB | 1Gx64 | 1Gx8 * 8 | 1 | 30mm |
SODIMM de 16GB | 16 GB | 2Gx64 | 1Gx8 * 16 | 2 | 30mm |
NOTA:
1) (2133 Mbps 15-15-15) / (2400 Mbps 17-17-17) / (2666 Mbps 19-19-19) / (3200 Mbps 22-22-22) / (3200 Mbps 16-18-18) - DDR{ {12}}(3200 Mbps 16-18-18) es compatible con versiones anteriores a frecuencias más bajas.
CARACTERÍSTICAS CLAVE
Velocidad | DDR4-2133 | DDR4-2400 | DDR4-2666 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | Unidad |
15-15-15 | 17-17-17 | 19-19-19 | 22-22-22 | 19-19-19 | 16-18-18 | ||
tCK(mín) | 0.938 | 0.833 | 0.75 | 0.625 | 0.625 | 0.625 | ns |
Latencia CAS | 15 | 17 | 19 | 22 | 19 | 16 | nCK |
tRCD(mín) | 14.06 | 14.16 | 14.25 | 13.75 | 11.875 | 11.25 | ns |
tRP(min) | 14.06 | 14.16 | 14.25 | 13.75 | 11.875 | 11.25 | ns |
TRAS(min) | 33 | 32 | 32 | 32.5 | 30.0 | 22.5 | ns |
tRC(mín) | 47.06 | 46.16 | 46.25 | 46.25 | 41.875 | 33.75 | ns |
●Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1,2 V ± 0,06 V
●VDDQ= 1.2V ± 0.06 V
●1067MHz fCKpara 2133 Mb/seg/pin, 1200 MHz fCKpara 2400Mb/seg/pin 1333MHz fCK para 2666Mb/seg/pin, 1600MHz fCK para 3200Mb/seg/pin
●16 bancos (4 grupos de bancos)
● Latencia CAS programable: 10 ,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21, 22
●Latencia aditiva programable (CAS publicado): reloj 0, CL - 2 o CL - 1
●Latencia de escritura CAS programable (CWL)=11,14 (DDR4-2133), 12,16 (DDR4-2400) y 14,18 (DDR4- 2666) • Longitud de ráfaga : 8, 4 con tCCD=4 que no permite lectura o escritura continua [ya sea sobre la marcha usando A12 o MRS]
● Luz estroboscópica bidireccional de datos diferenciales
● Terminación en matriz usando pin ODT
● Período de actualización promedio 7.8us a menos de TCASE 85C, 3.9us a 85C < TCASE 95C
● Restablecimiento asíncrono
DIAGRAMA DE BLOQUES DE FUNCIONES para:
4GB,512M x 64Module (Poblado como 1rango de SDRAM x16DDR4)
NOTA :
1) A menos que se indique lo contrario, los valores de resistencia son 150 Ω 5 por ciento.
2) Las resistencias ZQ son 2400Ω 1 por ciento. Para todos los demás valores de resistencia, consulte el diagrama de cableado correspondiente.
8GB,1Gx64Module (Poblado como 1rango de x 8DDR4 SDRAM)
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